RX53-IR红外显微镜/近红外显微镜/半导体晶圆微裂纹和损伤红外显微镜/硅基无损红外穿透检测显微解决方案

半导体芯片检测的“toushi眼”

近红外显微数码成像解决方案
专用红外显微镜+IR物镜  RX53M-IR

       RX53M-IR利用近红外光对半导体材料的穿透性特点，红外显微镜作为芯片制造以及微电子器件的典型无损检测手段越来越多的受到重视。通过红外显微镜对硅片穿透可观察晶体生长过程中的位错，隐裂痕；芯片划片封装的不良状况无损分析；封装后的焊接部分检查；可直接穿透厚度不超过600μm的硅片，观察IC芯片内部，观察内部线路断裂，崩边，崩裂，溢出等；也应用于包括产品晶圆生产内部缺陷检查，短断路检查（烧蚀标记、压力指标等）、键合对准（薄键合电路）、失效分析和来料测试。

近红外一般定义为700-2000nm波长范围内的光线，对于红外摄像头而言硅基传感器的上限约为1100nm，铟镓砷（InGaAs）传感器大约1800nm左右，都是目前在近红外显微观察中使用的主要传感器，可覆盖典型的近红外频带。大量使用可见光难以或无法实施的应用可通过近红外成像完成。当使用近红外成像时，水蒸气、硅、部分化合物、部分蓝膜等特定材料均为透明，因此红外显微检测被应用于半导体行业的各个方面。

诺旭微光电自主研发的无损红外toushi显微技术，广泛应用于半导体（Semiconductor）领域公司、平板显示（FPD）公司、科研单位、高校及第三方实验室、企业。

该红外显微镜技术方案得益于精密光学设计、纳米级加工的集成式光学系统，可用于常规金相显微镜（2寸-12寸）、常规工具显微镜、常规影像测量仪、超景深显微镜、大型龙门工业显微镜

LU200N-IR系列红外显微镜——VECSEL芯片无损红外toushi显微解决方案

第二代半导体（硅基）

20世纪90年代以来，随着移动通信的快速发展，以光纤通信和互联网为基础的信息高速公路的兴起，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料开始涌现。

垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser)，LU200N-IR系列近红外显微镜多年来服务于技术量产VECSEL芯片企业的研发、品检、生产中，提供了高性价比的VECSEL全设计波段无损检测解决方案。

LU200N-IR系列红外显微镜——VECSEL芯片无损红外toushi显微解决方案

第二代半导体（硅基）

国内某消费电子代工厂，VCSEL无损穿透案例：

国内前三半导体电光器件、模块及系统的研发，销售和产业化公司，VCSEL无损穿透案例：

垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，简称VCSEL，又译垂直共振腔面射型激光）是一种半导体，其激光垂直于顶面射出，与一般用切开的独立芯片制程，激光由边缘射出的边射型激光有所不同。常规的金相显微镜无法观测VECSEL产品，以下为近红外显微镜LU200N-IR拍摄的图片

第二代半导体（化合物半导体）图片

LU200N-IR已交付近多家客户用于砷化镓GaAs、磷化铟InP检测分析。以下为LU200N-IR近红外显微镜拍摄效果图片。

封装芯片,晶圆级CSP/SIP的非破坏检查,倒装芯片封装的不良状况无损分析,透过硅观察IC芯片内部

IR近红外线显微镜,可以对SiP（System in Package）,三维组装,CSP（Chip Size Package）等用可视观察无法看到的领域进行无损检查和分析

LU200N-IR正置红外显微镜,专用红外硅片检测显微镜,硅衬底的CSP观察

Vcsel芯片隐裂（cracks),InGaAs瑕疵红外无损检测,LED LD芯片出光面积测量,Chipping(chip crack)失效分析,封装芯片的内部缺陷，焊点检查,

键合片bumping,FlipChip正反面键合定位标记重合误差无损测量,可以定制开发软件模块快速自动测量重合误差,硅基半导体Wafer,碲化镉CdTe ,碲镉汞HgCdTe等化合物衬底无损红外检测,太阳能电池组件综合缺陷红外检测,LCD RGB像元面积测量

LU200N-IR红外显微镜可用于透过硅材料成像,倒装芯片封装的不良状况无损分析,通过红外显微镜对硅片穿透可观察晶体生长过程中的位错,隐裂痕,芯片划片封装的不良状况无损分析,封装后的焊接部分检查,可直接穿透厚度不超过600μm的硅片,观察IC芯片内部,观察内部线路断裂,崩边,崩裂,溢出等,也应用于包括产品晶圆生产内部缺陷检查,短断路检查,键合对准（薄键合电路）。